3D nand qlc, Intel bygger 10 millioner solid state-stasjoner

I forrige uke produserte Intels minne- og lagringsgruppe den ti millioner million QLC 3D NAND solid state drive (SSD) basert på NAND die QLC bygget i Dalian, Kina.

Intel bygger 10 millioner 3D NAND QLC Solid State-stasjoner

Produksjonen startet i slutten av 2018, og denne milepælen etablerer QLC (Quad Level Cellular Memory) som en kjerneteknologi for høykapasitetsdrev.

Nedenfor er en oversikt over noen av prestasjonene til 3D NAND QLC- enheter som nylig ble oppnådd av Intel.

• Intel QLC 3D NAND brukes i Intel SSD 660p, Intel SSD 665p og Intel Optane Memory H10 lagringsløsninger. Intel QLC- stasjon har 4 biter per celle og lagrer data i 64- og 96-lags NAND-konfigurasjoner. Intel har utviklet denne teknologien det siste tiåret. I 2016 endret Intel-ingeniører retningen til den påviste flytende dørteknologien (FG) til vertikal og pakket den inn i en komplett dørstruktur. Den resulterende tricellular level (TLC) teknologien kan lagre 384 Gb / die. I 2018 gikk 3D QLC-blitsen i oppfyllelse, med 64 lag med fire biter per celle, i stand til å lagre 1 024 Gb / die. I 2019 gikk Intel til 96 lag, noe som reduserte den totale arealtettheten.

Besøk vår guide for de beste SSD-stasjonene på markedet

QLC er nå en del av Intels samlede lagringsportefølje, som inkluderer både kunde- og datasenterprodukter.

Intel ser ut til å være fornøyd med ytelsen til solid state-stasjonene, spesielt på grunn av suksessen til 660p- og 665p- modellene.