Samsung kunngjør sine nye minner v

SSD-lagringsteknologi fortsetter å forbedre seg i gigantiske fremskritt, og Samsung er i spissen for innovasjon, og kunngjør den femte generasjonen V-NAND, som vil øke antall lag til 96 med relativt få andre designendringer. Den femte generasjonen vil inneholde Samsungs første QLC NAND-blits (fire biter per celle), med en kapasitet på 1 TB (128 GB) per dyse.

96-lags V-NAND-minner: Mer lagring, holdbarhet og mindre forbruk

I fjor hadde Samsung kunngjort sin fjerde generasjon 3D NAND, med 64-lags design. Denne fjerde generasjonen V-NAND er nå i produksjon og vil bli brukt i mange produkter de kommende månedene. De fleste produktene bruker 256 GB eller 512 GB TLC-matriser. Sammenlignet med den 48-lags tredje generasjon V-NAND, tilbyr 64-lags V-NAND den samme leseytelsen, men omtrent 11% høyere skriveytelse.

Kraftforbruket er forbedret 'betydelig', med strømmen som kreves for en leseoperasjon redusert med 12% og for en programdrift har det nødvendige strømforbruket sunket med 25%. Samsung hevder at dets 64-lags V-NAND i en TLC-konfigurasjon kan vare fra 7000 til 20 000 program / slette sykluser, så med dette nye 96-lags minnet vil enhetene ha lengre levetid.

Samsungs kunngjorte SSD-er basert på tidligere V-NAND-teknologier inkluderer en 2, 5 ′ 128 TB QLC-basert SAS SSD. For denne enheten vil Samsung stable 32 matriser per pakke, for totalt 4 TB på hver BGA-enhet.

Dette er et nytt skritt i nær fremtid for å begynne å trekke seg tilbake magnetiske lagringsstasjoner.

Kilde: anandtech