Samsung introduserer nytt hbm2e-minne med høy båndbredde

Samsung presenterte nettopp sitt nye høybåndbreddeminne HBM2E (Flashbolt) på NVIDIAs GTC 2019- arrangement. Det nye minnet er designet for å gi maksimal DRAM-ytelse for bruk i neste generasjons superdatamaskiner, grafikksystemer og kunstig intelligens (AI).

HBM2E tilbyr 33% mer hastighet enn forrige generasjon HBM2

Den nye løsningen kalt Flashbolt, er det første HBM2E-minnet i sektoren som tilbyr en dataoverføringshastighet på 3, 2 gigabit per sekund (Gbps) per pin, dette representerer 33% mer hastighet enn forrige generasjon HBM2. Flashbolt har en tetthet på 16 GB per matrise, dobbelt så stor kapasitet som forrige generasjon. Med disse forbedringene vil en enkelt Samsung HBM2E-pakke tilby en båndbredde på 410 gigabyte per sekund (GBps) og 16 GB minne.

Besøk vår guide for de beste RAM-minnene

Dette representerer et gjennombrudd, som kan forbedre ytelsen til grafikkortene som bruker det ytterligere. Det er ukjent om den nye generasjonen AMD Navi brukte denne typen minne, eller om de satset på GDDR6- minne. Husk at Radeon VII, AMDs siste grafikkort, bruker 16 GB HBM2-minne.

"Flashbolts bransjeledende ytelse vil muliggjøre forbedrede løsninger for neste generasjons datasentre, kunstig intelligens, maskinlæring og grafikkapplikasjoner, " sa Jinman Han, seniordirektør for teamet for produktplanlegging og applikasjonsteknikk ved minne Samsung. "Vi vil fortsette å utvide vårt" premium "DRAM-tilbud og oppgradere vårt høye ytelsesminnesegment med høy kapasitet og lav effekt for å imøtekomme markedets etterspørsel . "

Techpowerup font